Продукція > EPC > EPC2204A

EPC2204A


EPC2204A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.31 грн
5000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2204A EPC

Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EPC2204A за ціною від 89.22 грн до 261.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.92 грн
10+165.28 грн
100+115.60 грн
500+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.92 грн
10+165.28 грн
100+115.60 грн
500+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.