EPC2214
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 52.13 грн |
| 5000+ | 47.01 грн |
| 7500+ | 45.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2214 EPC
Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції EPC2214 за ціною від 44.10 грн до 176.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2214 | Виробник : EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 |
на замовлення 14858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC2214 | Виробник : EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 90877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|