Продукція > EPC > EPC2218A

EPC2218A


EPC2218A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+169.38 грн
3000+158.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2218A EPC

Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EPC2218A за ціною від 192.76 грн до 473.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2218A EPC2218A EPC EPC2218A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.42 грн
10+305.54 грн
50+241.36 грн
100+207.11 грн
500+192.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A EPC EPC2218A_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.42 грн
10+305.54 грн
50+241.36 грн
100+207.11 грн
500+192.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.