Продукція > EPC > EPC2252
EPC2252

EPC2252

EPC2252_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.88 грн
7500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2252 EPC

Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: Die, Grade: Automotive, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EPC2252 за ціною від 49.18 грн до 202.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2252 EPC2252 EPC EPC2252_datasheet.pdf Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.85 грн
10+116.87 грн
50+89.03 грн
100+75.14 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252 EPC EPC2252_datasheet.pdf GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
на замовлення 10531 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+202.66 грн
10+99.46 грн
100+77.69 грн
500+62.08 грн
1000+59.73 грн
2500+51.89 грн
5000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252_datasheet.pdf
EPC2252
Виробник: EPC
Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.85 грн
10+116.87 грн
50+89.03 грн
100+75.14 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252_datasheet.pdf
EPC2252
Виробник: EPC
GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
на замовлення 10531 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.66 грн
10+99.46 грн
100+77.69 грн
500+62.08 грн
1000+59.73 грн
2500+51.89 грн
5000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.