Продукція > EPC > EPC2252
EPC2252

EPC2252

EPC2252_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
на замовлення 12094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.30 грн
10+114.64 грн
100+68.47 грн
500+54.76 грн
1000+52.40 грн
2500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2252 EPC

Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: Die, Grade: Automotive, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EPC2252 за ціною від 78.08 грн до 183.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2252 EPC2252 Виробник : EPC EPC2252_datasheet.pdf Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.02 грн
10+113.99 грн
100+78.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252 Виробник : EPC EPC2252_datasheet.pdf Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.