Продукція > EPC > EPC2308
EPC2308

EPC2308

EPC2308_datasheet.pdf Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.24 грн
10+238.94 грн
100+148.51 грн
500+142.93 грн
1000+135.26 грн
3000+120.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2308 EPC

Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 7-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA, Supplier Device Package: 7-QFN (3x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V.

Інші пропозиції EPC2308 за ціною від 142.87 грн до 371.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2308 EPC2308 Виробник : EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 5756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.80 грн
10+238.31 грн
100+170.23 грн
500+142.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308 Виробник : EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.