EPC2367
Виробник: EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 189.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EPC2367 EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA, Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V.
Інші пропозиції EPC2367 за ціною від 175.70 грн до 497.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2367 | Виробник : EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN |
на замовлення 13929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EPC2367 | Виробник : EPC |
Description: TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V |
на замовлення 36191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|