
ER1002F_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: DIODE GEN PURP 200V 10A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 34.22 грн |
50+ | 27.01 грн |
100+ | 19.60 грн |
500+ | 15.37 грн |
1000+ | 14.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ER1002F_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції ER1002F_T0_00001 за ціною від 17.44 грн до 57.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ER1002F_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; tube; Ifsm: 150A; ITO220AC; 35ns Case: ITO220AC Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 0.5mA Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Mounting: THT |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ER1002F_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10A; tube; Ifsm: 150A; ITO220AC; 35ns Case: ITO220AC Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.95V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 0.5mA Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ER1002F_T0_00001 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|