на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 2.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1B-E3/5AT Vishay
Description: VISHAY - ES1B-E3/5AT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 920mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1B, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції ES1B-E3/5AT за ціною від 2.76 грн до 31.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 6205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - ES1B-E3/5AT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM |
на замовлення 73220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 25966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - ES1B-E3/5AT - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
ES1B-E3/5AT Код товару: 194212 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A Leakage current: 0.1mA Max. forward impulse current: 30A Load current: 1A Max. forward voltage: 0.92V Max. off-state voltage: 100V Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: SMA Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 7500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ES1B-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A Leakage current: 0.1mA Max. forward impulse current: 30A Load current: 1A Max. forward voltage: 0.92V Max. off-state voltage: 100V Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: SMA Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Reverse recovery time: 35ns |
товар відсутній |