Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > ES1BL R3G
ES1BL R3G

ES1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.40 грн
10+45.26 грн
100+33.80 грн
500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1B, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції ES1BL R3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ES1BL R3G ES1BL R3G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BL R3G ES1BL R3G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1BL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BL R3G ES1BL R3G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BL R3G ES1BL R3G Виробник : Taiwan Semiconductor ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Rectifiers 35ns, 1A, 100V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.