Технічний опис ES1D R2G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1D R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassspannung Vf max.: 950, Diodenkonfiguration: Einfach, Sperrerholzeit Trr, max.: 35, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30, Betriebstemperatur, max.: 150, Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції ES1D R2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна без ПДВ |
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ES1D R2G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1D R2G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassspannung Vf max.: 950 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 35 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 200 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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ES1D R2G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier |
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