Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > ES1DL R3G
ES1DL R3G

ES1DL R3G Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.87 грн
10+44.57 грн
100+33.24 грн
500+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES1DL R3G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Sub-SMA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції ES1DL R3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ES1DL R3G ES1DL R3G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357975.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DL R3G ES1DL R3G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357975.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DL R3G ES1DL R3G Виробник : Taiwan Semiconductor ES1AL_SERIES_K15-1918121.pdf Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
на замовлення 10282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DL R3G ES1DL R3G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.