ES1FL RVG

ES1FL RVG Taiwan Semiconductor


es1al_f11.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
307+38.15 грн
396+ 29.59 грн
400+ 29.3 грн
504+ 22.41 грн
1000+ 14.13 грн
Мінімальне замовлення: 307
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES1FL RVG Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.

Інші пропозиції ES1FL RVG за ціною від 12.6 грн до 40.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor es1al_f11.pdf Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.88 грн
17+ 36.09 грн
25+ 35.77 грн
50+ 34.16 грн
100+ 24.53 грн
250+ 23.32 грн
500+ 18.5 грн
1000+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 15
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor es1al_f11.pdf Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V
товар відсутній
ES1FL RVG ES1FL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor ES1AL_SERIES_K15-1918121.pdf Rectifiers 35ns 1A 300V Super F ast Recovery Rect
товар відсутній