Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > ES1GL RVG
ES1GL RVG

ES1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.15 грн
15+ 18.68 грн
100+ 11.19 грн
500+ 9.72 грн
1000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.

Інші пропозиції ES1GL RVG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ES1GL RVG ES1GL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor es1al_f11.pdf Diode Switching 400V 1A 2-Pin Sub SMA
товар відсутній
ES1GL RVG ES1GL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
ES1GL RVG ES1GL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Rectifiers 35ns 1A 400V Super F ast Recovery Rect
товар відсутній