ES1JFL Taiwan Semiconductor
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
221+ | 1.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1JFL Taiwan Semiconductor
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-123F, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ES1JFL за ціною від 1.98 грн до 42.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ES1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 62841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 19098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : onsemi / Fairchild | Rectifiers 600V 1A Super Fast Rectifier |
на замовлення 93310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123F T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ES1JFL Код товару: 148685 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin SOD-123F T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123F T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ES1JFL | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
товар відсутній |