Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > ES1JL R3G

ES1JL R3G Taiwan Semiconductor

ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.43 грн
22+34.43 грн
25+34.09 грн
100+23.41 грн
250+21.45 грн
500+20.47 грн
1000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES1JL R3G Taiwan Semiconductor

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1J, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції ES1JL R3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ES1JL R3G ES1JL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1JL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1JL R3G Taiwan Semiconductor ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1JL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357975.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1JL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357975.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G Taiwan Semiconductor ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1JL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1JL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1JL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G 2357975.pdf
ES1JL R3G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G 2357975.pdf
ES1JL R3G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.