ES1JL Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 6.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1JL Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MULTICOMP PRO - ES1JL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-123FL, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції ES1JL за ціною від 5.52 грн до 34.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: subSMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 8pF Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: subSMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 8pF Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: subSMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 8pF Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 17411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |