ES1JL MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - ES1JL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.19 грн |
| 1000+ | 2.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES1JL MULTICOMP PRO
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції ES1JL за ціною від 2.1 грн до 25.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ES1JL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 8pF Case: subSMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 18759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ES1JL | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - ES1JL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ES1JL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 8pF Case: subSMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 18759 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 5823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
ES1JL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
товар відсутній |