Технічний опис ES2AA R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 2A, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ES2AA R3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
ES2AA R3G | Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ES2AA R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R
Diode Switching 50V 2A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



