
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6400+ | 8.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES2B-E3/5BT Vishay
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 50ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.9V, Case: DO214AA; SMB, Capacitance: 18pF, Max. off-state voltage: 100V, Max. forward voltage: 0.9V, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Reverse recovery time: 50ns, Max. forward impulse current: 50A, Leakage current: 0.35mA, Kind of package: 13 inch reel, Type of diode: rectifying, Quantity in set/package: 3200pcs., Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції ES2B-E3/5BT за ціною від 8.49 грн до 40.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES2B-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2B-E3/5BT | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2B-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ES2B-E3/5BT | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
ES2B-E3/5BT | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
ES2B-E3/5BT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 50ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.9V Case: DO214AA; SMB Capacitance: 18pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.35mA Kind of package: 13 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 3200pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
ES2B-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
ES2B-E3/5BT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 50ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.9V Case: DO214AA; SMB Capacitance: 18pF Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.35mA Kind of package: 13 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 3200pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Mounting: SMD |
товару немає в наявності |