Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > ES2BHE3_A/I
ES2BHE3_A/I

ES2BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

es2.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+13.46 грн
6400+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES2BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ES2BHE3_A/I за ціною від 9.96 грн до 47.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ES2BHE3_A/I ES2BHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor es2.pdf Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
на замовлення 8967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.26 грн
12+30.68 грн
100+21.05 грн
500+16.11 грн
1000+14.44 грн
3200+11.40 грн
6400+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I ES2BHE3_A/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.69 грн
11+30.80 грн
100+24.31 грн
500+17.42 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I ES2BHE3_A/I Виробник : Vishay es2.pdf Rectifier Diode Switching 100V 2A 20ns Automotive 2-Pin SMB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I ES2BHE3_A/I Виробник : Vishay es2.pdf Diode Switching 100V 2A 2-Pin SMB T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I Виробник : VISHAY es2.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 50ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 0.9V
Case: DO214AA; SMB
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Capacitance: 18pF
Reverse recovery time: 50ns
Leakage current: 0.35mA
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 100V
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 3200pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.