ES2C-E3/5BT Vishay General Semiconductor
на замовлення 9653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 56.00 грн |
| 11+ | 33.56 грн |
| 100+ | 18.82 грн |
| 500+ | 14.55 грн |
| 1000+ | 12.80 грн |
| 3200+ | 9.37 грн |
| 9600+ | 8.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES2C-E3/5BT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V.
Інші пропозиції ES2C-E3/5BT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ES2C-E3/5BT | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 150V 2A 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
ES2C-E3/5BT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 150V 2A 2-Pin SMB T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
ES2C-E3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V |
товару немає в наявності |