ES2GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.04 грн |
| 10+ | 35.88 грн |
| 100+ | 23.27 грн |
| 500+ | 16.72 грн |
| 1000+ | 15.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES2GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ES2GHE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ES2GHE3_A/I | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE |
на замовлення 4963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ES2GHE3_A/I |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
Rectifiers 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)