на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.81 грн |
245+ | 4.48 грн |
665+ | 4.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES2K YANGJIE TECHNOLOGY
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції ES2K
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES2K | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
ES2K | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |