
ES3D R7 Taiwan Semiconductor
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 43.43 грн |
10+ | 36.55 грн |
100+ | 22.13 грн |
500+ | 17.27 грн |
850+ | 14.01 грн |
1700+ | 12.48 грн |
9350+ | 11.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES3D R7 Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції ES3D R7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
ES3D R7 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
ES3D R7 | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
ES3D R7 | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |