ES3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.06 грн |
| 10+ | 54.78 грн |
| 100+ | 36.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ES3DHE3_A/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ES3DHE3_A/H | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 200 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated |
на замовлення 2719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ES3DHE3_A/H |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 200 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated
Rectifiers 200 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)