ES3G-M3/9AT Vishay General Semiconductor
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 49.39 грн |
| 10+ | 41.39 грн |
| 100+ | 25.05 грн |
| 500+ | 19.54 грн |
| 1000+ | 15.92 грн |
| 3500+ | 15.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES3G-M3/9AT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.
Інші пропозиції ES3G-M3/9AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ES3G-M3/9AT | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 400V 3A 2-Pin SMC T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
ES3G-M3/9AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |