на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 10.39 грн |
71+ | 8.24 грн |
72+ | 8.11 грн |
73+ | 7.69 грн |
74+ | 7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ES3J R7G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції ES3J R7G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
ES3J R7G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 3A 2-Pin SMC T/R |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
ES3J R7G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 3A 35ns 2-Pin SMC T/R |
товар відсутній |
||
ES3J R7G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||
ES3J R7G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||
ES3J R7G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 3A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
товар відсутній |