Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > ES6U1T2R
ES6U1T2R

ES6U1T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=ES6U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ES6U1T2R Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V.

Інші пропозиції ES6U1T2R за ціною від 11.24 грн до 50.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ES6U1T2R ES6U1T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=ES6U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.93 грн
11+30.42 грн
100+19.48 грн
500+13.87 грн
1000+12.44 грн
2000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2R ES6U1T2R Виробник : ROHM Semiconductor es6u1-e-1018117.pdf MOSFET 1.5V Drive Pch+SBD MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.