ESH1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.76 грн |
| 12+ | 25.74 грн |
| 100+ | 19.04 грн |
| 500+ | 13.61 грн |
| 1000+ | 11.86 грн |
| 2000+ | 11.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ESH1DHE3_A/I за ціною від 10.73 грн до 41.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ESH1DHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 1.0A 25ns Glass Passivated |
на замовлення 9294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|