ESH1DM

ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation


ESH1DM_E2110.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+7.61 грн
24000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: MicroSMA, Durchlassstoßstrom: 15A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ESH1xM Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ESH1DM за ціною від 7.24 грн до 40.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ESH1DM ESH1DM TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256591.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ESH1xM Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.01 грн
500+9.68 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DM ESH1DM TAIWAN SEMICONDUCTOR 3256591.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ESH1xM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.32 грн
35+23.63 грн
100+15.01 грн
500+9.68 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DM ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation ESH1DM_E2110.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+24.15 грн
100+15.39 грн
500+10.87 грн
1000+9.71 грн
2000+8.74 грн
5000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DM 3256591.pdf
ESH1DM
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ESH1xM Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.01 грн
500+9.68 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DM 3256591.pdf
ESH1DM
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ESH1xM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.32 грн
35+23.63 грн
100+15.01 грн
500+9.68 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1DM ESH1DM_E2110.pdf
ESH1DM
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.35 грн
13+24.15 грн
100+15.39 грн
500+10.87 грн
1000+9.71 грн
2000+8.74 грн
5000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.