ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12000+ | 7.85 грн |
| 24000+ | 6.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH1DM Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: MicroSMA, Durchlassstoßstrom: 15A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ESH1xM Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ESH1DM за ціною від 7.47 грн до 41.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ESH1DM | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMA Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ESH1xM Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ESH1DM | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH1DM - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.5 V, 25 ns, 15 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMA Durchlassstoßstrom: 15A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ESH1xM Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ESH1DM | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 1A MICRO SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Micro SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ESH1DM | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 25ns, 1A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |