.jpg "ESH1DMH")
ESH1DMH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12000+ | 8.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH1DMH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Micro SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції ESH1DMH за ціною від 7.86 грн до 32.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ESH1DMH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Micro SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ESH1DMH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
ESH1DMH-TSC SMD universal diodes |
товару немає в наявності |