Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > ESH1PB-M3/84A
ESH1PB-M3/84A

ESH1PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

esh1pb.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
12+26.83 грн
100+18.65 грн
500+13.67 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ESH1PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-220AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-220AA (SMP), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.

Інші пропозиції ESH1PB-M3/84A за ціною від 9.98 грн до 39.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ESH1PB-M3/84A ESH1PB-M3/84A Виробник : Vishay General Semiconductor esh1pb.pdf Rectifiers 100volts 1.0amp
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.81 грн
12+28.61 грн
100+16.95 грн
500+14.60 грн
1000+11.96 грн
3000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESH1PB-M3/84A ESH1PB-M3/84A Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh1pb.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.