ESH2D-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 750+ | 14.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH2D-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Інші пропозиції ESH2D-E3/52T за ціною від 12.52 грн до 30.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ESH2D-E3/52T | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 9667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
ESH2D-E3/52T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ESH2D-E3/52T | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ESH2D-E3/52T |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.62 грн |
| 14+ | 24.10 грн |
| 100+ | 16.60 грн |
| 500+ | 12.52 грн |
| ESH2D-E3/52T |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.86 грн |
| 13+ | 25.29 грн |
| 100+ | 17.60 грн |
| ESH2D-E3/52T |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.



