ESH2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 2A, 200V, ULTRA FAST RECOV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-128
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 27pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 13+ | 24.25 грн |
| 100+ | 16.87 грн |
| 500+ | 12.37 грн |
| 1000+ | 10.05 грн |
| 2000+ | 8.99 грн |
| 5000+ | 8.39 грн |
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Технічний опис ESH2DFSH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 960mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ESH2DFSH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ESH2DFSH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESH2DFSH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ESH2DFSH |
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Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESH2DFSH |
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Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH2DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)