Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > ESH3DFSH
ESH3DFSH

ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3DFSH_B2103.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.20 грн
11+27.83 грн
100+18.07 грн
500+13.53 грн
1000+9.81 грн
2000+9.50 грн
5000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 132A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ESH3DFSH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ESH3DFSH ESH3DFSH Taiwan Semiconductor ESH3DFSH_B2103.pdf Rectifiers 25ns, 3A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier
на замовлення 21322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH TAIWAN SEMICONDUCTOR ESH3DFSH_B2103.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH TAIWAN SEMICONDUCTOR ESH3DFSH_B2103.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 25ns, 3A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier
на замовлення 21322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DFSH ESH3DFSH_B2103.pdf
ESH3DFSH
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 132A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.