F1225R12KT4GBOSA1

F1225R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies


INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 160 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+7505.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F1225R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 160 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V.

Інші пропозиції F1225R12KT4GBOSA1 за ціною від 7766.23 грн до 7766.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 160 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7766.23 грн
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7623ds_f12-25r12kt4g_2_0_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f311.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 160000mW 38-Pin ECONO3-4 Tray
товар відсутній