F1225R12KT4GBOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6343.96 грн |
| 5+ | 5767.09 грн |
| 10+ | 5190.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F1225R12KT4GBOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 25A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 160W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zwölferpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 25A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F1225R12KT4GBOSA1 за ціною від 6816.37 грн до 7467.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F1225R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 160 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
F1225R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 160 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
F1225R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 160W 38-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
F1225R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 160000mW 38-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |