Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F1225R12KT4GBOSA1
F1225R12KT4GBOSA1

F1225R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 160 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+6791.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F1225R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 160W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 25A, Produktpalette: EconoPACK3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zwölferpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 25A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції F1225R12KT4GBOSA1 за ціною від 6555.35 грн до 7180.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 INFINEON INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6831.64 грн
5+6555.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7180.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F1225R12KT4GBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6831.64 грн
5+6555.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F1225R12KT4GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7180.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.