Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F3L11MR12W2M1B74BOMA1
F3L11MR12W2M1B74BOMA1

F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-F3L11MR12W2M1_B74-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177b9447dce438e
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A AG-EASY2B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21.7 nF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10700.79 грн
15+7974.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK CoolSic, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції F3L11MR12W2M1B74BOMA1 за ціною від 18927.75 грн до 18927.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies infineon-f3l11mr12w2m1_b74-datasheet-v00_20-en.pdf CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18927.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies infineon-f3l11mr12w2m1_b74-datasheet-v00_20-en.pdf CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18927.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies Infineon-F3L11MR12W2M1_B74-DataSheet-v00_20-DE.pdf MOSFET Modules EASY
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 F3L11MR12W2M1B74BOMA1 INFINEON 3199846.pdf Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSic
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 infineon-f3l11mr12w2m1_b74-datasheet-v00_20-en.pdf
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18927.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 infineon-f3l11mr12w2m1_b74-datasheet-v00_20-en.pdf
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18927.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon-F3L11MR12W2M1_B74-DataSheet-v00_20-DE.pdf
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules EASY
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L11MR12W2M1B74BOMA1 3199846.pdf
F3L11MR12W2M1B74BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1B74BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSic
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.