
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14606.03 грн |
18+ | 13173.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 за ціною від 13424.67 грн до 17276.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET EASY STANDARD |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |