F3L200R07PE4 Infineon Technologies


INFNS28259-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+11787.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F3L200R07PE4 Infineon Technologies

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 680 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V.

Інші пропозиції F3L200R07PE4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
F3L200R07PE4 Виробник : Infineon Technologies ds_f3l200r07pe4_2_0_de-en-219394.pdf IGBT Modules IGBT Module 200A 650V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)