F3L200R12W2H3B11BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5783.79 грн |
| 5+ | 5559.11 грн |
| 10+ | 5333.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L200R12W2H3B11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції F3L200R12W2H3B11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
|
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 600W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |