F3L200R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 100A 600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.5 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5549.31 грн |
| 15+ | 4147.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L200R12W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції F3L200R12W2H3B11BPSA1 за ціною від 5394.23 грн до 5849.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L200R12W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 100 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600000mW 14-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
F3L200R12W2H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 14-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |