F3L225R12W3H3B11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10870.10 грн |
| 16+ | 9803.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L225R12W3H3B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L225R12W3H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 175 A, 2.07 V, 20 mW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.07V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 175A, Produktpalette: EasyPack Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F3L225R12W3H3B11BPSA1 за ціною від 9431.63 грн до 12261.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules N |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L225R12W3H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 175 A, 2.07 V, 20 mW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.07V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 175A Produktpalette: EasyPack Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 53-Pin Tray |
товару немає в наявності |

