Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F3L25R12W1T4B27BOMA1
F3L25R12W1T4B27BOMA1

F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063 Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2586.06 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 45A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 215W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 19Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 45A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції F3L25R12W1T4B27BOMA1 за ціною від 1815.42 грн до 2817.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_F3L25R12W1T4_B27_DS_v02_00_CN-3162116.pdf IGBT Modules EASY STANDARD
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2817.01 грн
10+ 2617.11 грн
24+ 2188.73 грн
48+ 1921.03 грн
120+ 1882.51 грн
264+ 1852.62 грн
1008+ 1815.42 грн
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003823518-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товар відсутній
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 248infineon-f3l25r12w1t4_b27-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc0.pdf Easy PACK IGBT module
товар відсутній