Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F3L25R12W1T4B27BOMA1
F3L25R12W1T4B27BOMA1

F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 215 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3093.55 грн
24+2040.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 215W, Verlustleistung: 215W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 45A, Anzahl der Pins: 19Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 45A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції F3L25R12W1T4B27BOMA1 за ціною від 2585.02 грн до 2915.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 INFINEON Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063 Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
Verlustleistung: 215W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies Infineon_F3L25R12W1T4_B27_DS_v02_00_EN.pdf IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies infineon-f3l25r12w1t4_b27-ds-v02_00-cn.pdf Easy PACK IGBT module
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2894.09 грн
10+2585.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies infineon-f3l25r12w1t4_b27-ds-v02_00-cn.pdf Easy PACK IGBT module
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2915.26 грн
10+2826.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
Verlustleistung: 215W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon_F3L25R12W1T4_B27_DS_v02_00_EN.pdf
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 infineon-f3l25r12w1t4_b27-ds-v02_00-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Easy PACK IGBT module
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+2894.09 грн
10+2585.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 infineon-f3l25r12w1t4_b27-ds-v02_00-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Easy PACK IGBT module
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+2915.26 грн
10+2826.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.