F3L300R12MT4PB23BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 300A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18037.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L300R12MT4PB23BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 20MW, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V.
Інші пропозиції F3L300R12MT4PB23BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L300R12MT4PB23BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface Material |
товару немає в наявності |
|
|
|
F3L300R12MT4PB23BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 300A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |