F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20717.41 грн |
| 15+ | 19605.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 0.0087 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 27Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 за ціною від 19410.43 грн до 26456.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 0.0087 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 27Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EASY STANDARD |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|