F3L75R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 650V 95A 250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3493.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L75R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 250W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції F3L75R07W2E3B11BOMA1 за ціною від 3964.17 грн до 4896.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L75R07W2E3B11BOMA1 - IGBT-Modul, EasyPACK 2B, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 75 A, 1.45 V, 250 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
F3L75R07W2E3B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 95A 250W 14-Pin EASY2B-2 Tray |
товару немає в наявності |