F3L75R12W1H3B11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 48 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2999.36 грн |
| 10+ | 2954.83 грн |
| 24+ | 2071.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L75R12W1H3B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 45A 275W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Chopper, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 275 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції F3L75R12W1H3B11BPSA1 за ціною від 2092.79 грн до 3175.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 45A 275WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 275 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
F3L75R12W1H3B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module |
товару немає в наявності |