F3L75R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 275W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 275 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2488.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L75R12W1H3B27BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 45A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 275W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 275W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 21Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 1B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 45A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F3L75R12W1H3B27BOMA1 за ціною від 1869.05 грн до 4253.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 45A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 275W euEccn: NLR Verlustleistung: 275W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 21Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275000mW 22-Pin EASY1B-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
товару немає в наявності |