F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7066.72 грн |
| 5+ | 6925.08 грн |
| 10+ | 6784.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 8907.26 грн до 12749.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA Supplier Device Package: AG-EASY2B Part Status: Active |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|