Продукція > INFINEON > F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1

F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 INFINEON

infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 29Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 Infineon Technologies infineon_f3l8mxtr12c2m2_h11_datasheet_en.pdf MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 infineon_f3l8mxtr12c2m2_h11_datasheet_en.pdf
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.