Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F4100R12KS4BOSA1
F4100R12KS4BOSA1

F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7862.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 660 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V.

Інші пропозиції F4100R12KS4BOSA1 за ціною від 8585.73 грн до 8585.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851 Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8585.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1
Код товару: 162575
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851 Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7543db_f4_100r12ks4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 26-Pin ECONO3-4 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7543db_f4_100r12ks4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 26-Pin ECONO3-4 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 7543db_f4_100r12ks4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660000mW 26-Pin ECONO3-4 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851 IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.