Продукція > Транзистори > IGBT > F4100R12KS4BOSA1

F4100R12KS4BOSA1

Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851
Код товару: 162575
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції F4100R12KS4BOSA1 за ціною від 7129.38 грн до 8772.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies infineonf4100r12ks4dsv0201ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7129.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851 Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8226.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 F4100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851 Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8772.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 infineonf4100r12ks4dsv0201ende.pdf
F4100R12KS4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 26-Pin ECONO3-4 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+7129.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851
F4100R12KS4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8226.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F4100R12KS4BOSA1 Infineon-F4_100R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327b185851
F4100R12KS4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+8772.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.