F410MR20W3M1HB11BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 36681.26 грн |
| 5+ | 31877.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F410MR20W3M1HB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F410MR20W3M1HB11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC |
товару немає в наявності |