F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28218.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції F410MR20W3M1HB11BPSA1 за ціною від 21666.70 грн до 37602.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: EASY STANDARD PLUS Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 1200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 120A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470nC @ 3V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 68mA |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray |
товару немає в наявності |