F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: EASY STANDARD PLUS
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470nC @ 3V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 68mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції F410MR20W3M1HB11BPSA1 за ціною від 24026.68 грн до 32470.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24026.68 грн |
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28882.91 грн |
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28882.91 грн |
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 32470.02 грн |
| 5+ | 31820.41 грн |