F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: EASY STANDARD PLUS
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470nC @ 3V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 68mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20755.77 грн |
| 16+ | 18594.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис F410MR20W3M1HB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 50Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm.
Інші пропозиції F410MR20W3M1HB11BPSA1 за ціною від 28689.93 грн до 28689.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 50Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
F410MR20W3M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28689.93 грн |
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 95A 50-Pin Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28689.93 грн |
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
Description: INFINEON - F410MR20W3M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F410MR20W3M1HB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)